NAND闪存价格持续下跌,DRAM价持稳到年底


  内存指标大厂三星和美光释出今年内存市况分析,储存型闪存(NAND Flash)DRAM市况不同调

  三星和美光同指本季NAND价格持续下探,但DRAM价格在服务器及移动设备、车用等应用多元下,价格将持稳到年底。

  全球内存龙头三星半导体事业部日前在提出第2季展望时指出,内存事业可望在第2季维持强势表现,不过,本季NAND报价将呈现疲软,但服务器、移动DRAM需求将会续强,且主流高容量DRAM订单也将会走高。

  三星在全球NAND FlashDRAM市占率都居领先地位,其中DRAM市占率达49%,具有价格主导地位,三星看淡NAND Flash价格走势,也反应NAND Flash随各家3D NAND转换制程良率提升、产量提升,价格也陷入向下修正的压力;DRAM则因供需仍未失衡,且应用多元化,本季价格可望持续维持上涨。

  内存大厂美光科技全球制造资深副总裁艾伦(Wayne Allan)则认为,受惠企业级线上交易、自驾车、云端大数据、网通、移动设备、物联网等六大领域对内存需求强劲,但供给端增幅有限,今年内存市况仍会健康稳健,其中DRAM价格可持稳到年底。

  美光预估今年全球内存,DRAM年产量约增20%NAND Flash产能约增45%

  艾伦强调,美光今年在NAND Flash产能年增率将超过45%,高于产业平均数,凸显美光也是持续拉升NAND Flash产出。

  闪存控制芯片大厂慧荣总经理苟嘉章则分析,今年上半年闪存供过于求压力大,本季跌势将扩大,不过随主要品牌手机厂下半年推出新机,增加闪存搭载量,第3季价格可望止跌。

  但他强调, 国际大厂如三星、SK海力士、东芝及威腾(WD)、英特尔及美光等全力扩充产能,今年底96层或QLC规格3D NAND产能将大量开出,上半年价格压力较大,明年加上中国大陆紫光集团旗下长的长江存储产能开出,供给量更大,恐再加重明年NAND Flash跌势。

  来源:华强电子网

 


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