电子制造展|分立器件封测技术未来发展趋势

材料变革驱动封装技术发展。分立器件的发展离不开新材料、新工艺的不断研究与创新。随着第三代半导体材料碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等在半导 体行业应用，对封装技术带来新的挑战。为了提高分立器件的成品率和可靠性，分立器件封测企业正在为新产品研发更先进的封装工艺及封装技术。功率器件封装技术也不断进步。下面电子制造展小编就来简单聊一聊分立器件封测技术未来发展趋势。

功率器件技术含量较高，在一定程度上能代表 分立器件封测行业的技术发展趋势。为提高功率密度和优化电源转化，分立器件封测需在器件和模块两个层面实现技术突破，进而提高产品的性能和使用寿命。

传统引线键合技术带来的虚焊、导通内阻高等问题逐步被球键合和楔键合等键合方式所解决。以烧结银焊接技术为代表的功率器件封装技术是行业追逐的热点，该技术是目前适合宽禁带半导体模块封装的界面连接技术之一，是碳化硅等宽禁带半导体模块封装中的关键技术，市场需求巨大，能够更好地实现高功率密度封装。

此外，以 Clip bond 为代表的分立器件封装工艺能够提高电流承载能力、提升器件板级可靠性、有效降低器件热阻、提高封装效率，已成为华润微等国内主要厂商在功率器件封装领域掌握的主要技术。

小型化、模块化封装是当前分立器件封装技术发展的主要方向。随着 5G 网络、物联网等新兴领域的发展，分立器件呈现小型化、组装模块化和功能系统化的发展趋势，这对封测技术提出了更高要求，如尺寸和成本的限制、大批量生产和自动装配能力。此外，下游市场可穿戴设备等电子产品小型化需求的增长，也对分立器件封装技术提出了新要求。

文章来源：思瀚研究院