在半导体产业的激烈竞争格局中，芯片制造工艺的选择对企业发展至关重要。长期以来，自从剥离晶圆制造业务与晶圆厂后，AMD 主要依赖台积电和格芯（GlobalFoundries）为其生产芯片。不过，自 2021 年起，市场便传出 AMD 有意与三星建立全新合作关系的消息，初的合作方向被认为是生产一些产量需求有限、价格亲民且并非核心关键的芯片。AMD 此举的战略意图十分明确，一方面是期望适度降低对台积电的依赖，分散供应链风险；另一方面则是通过引入新的合作伙伴，优化成本结构，提升自身产品的市场竞争力。

2024 年 7 月，AMD 在美国旧金山举办的 AMD Tech Day 2024 活动中，公布了 CPU 技术规划的重要更新，首次公开确认了 Zen 5 系列之后将推出 Zen 6 系列架构，且该系列将采用大小核设计，分为 Zen 6 和 Zen 6c。但当时，AMD 并未透露 Zen 6 系列架构的发布时间，也未明确其将采用的制程节点。然而，不久后有消息透露，Zen 6 架构的电荷耦合元件（CCD）预计会采用台积电的 N3E 制程技术制造，而新款 IO 芯片（IOD）则会运用 N4C 制程技术。

近期，根据 TECHPOWERUP 的新报道，AMD 在芯片制造规划上又有新动向 —— 正在测试导入三星的 4 纳米制程技术，用于制造新款 IOD 芯片。据推测，AMD 可能选用的是三星的 4LPP 制程技术（SF4）。从技术参数来看，三星 4LPP 制程的晶体管密度与台积电的 N5 制程相近，并且相较于 N6 制程有显著提升，这为 AMD 的芯片设计与性能优化提供了新的可能。

上海电子展了解到，TECHPOWERUP 的报道指出，采用更先进的制程技术，AMD 能够降低 I/O 芯片的功耗，进而为新的电源管理解决方案提供支持。更为关键的是，新款 IOD 芯片的核心需求在于升级内存控制器，以支持速率更高的 DDR5 内存，以及适配一些新的 DIMM 设计，如 CUDIMM 内存模组等，这对于提升 AMD 芯片在内存性能方面的表现具有重要意义。

过去，三星晶圆代工制程的良率一直是业界关注的焦点，也是客户在选择合作时的一大顾虑。但据市场消息显示，尽管三星的 4 纳米制程良率目前仍稍逊于台积电，不过经过一系列优化改进后，良率已接近 70%，与初仅 25% 的良率相比有了大幅提升。这一显著进步表明三星在提升制程良率方面取得了实质性成果，或许正是这一点促使 AMD 开始考虑引入三星的晶圆代工制程。

上海电子展了解到，AMD 计划导入三星 4 纳米制程技术这一消息尚未得到 AMD 官方证实。半导体行业的发展瞬息万变，后续 AMD 是否会正式采用三星的 4 纳米制程技术，以及这一举措将对 AMD 的芯片产品线、市场份额乃至整个半导体产业格局产生何种影响，都值得持续关注与深入观察。

文章来源：全球半导体观察