2025年4月22-24日
上海世博展览馆

上海电子展|AMD 谋划新棋局:拟引入三星 4 纳米制程技术

在半导体产业的激烈竞争格局中,芯片制造工艺的选择对企业发展至关重要。长期以来,自从剥离晶圆制造业务与晶圆厂后,AMD 主要依赖台积电和格芯(GlobalFoundries)为其生产芯片。不过,自 2021 年起,市场便传出 AMD 有意与三星建立全新合作关系的消息,初的合作方向被认为是生产一些产量需求有限、价格亲民且并非核心关键的芯片。AMD 此举的战略意图十分明确,一方面是期望适度降低对台积电的依赖,分散供应链风险;另一方面则是通过引入新的合作伙伴,优化成本结构,提升自身产品的市场竞争力。

 

2024 年 7 月,AMD 在美国旧金山举办的 AMD Tech Day 2024 活动中,公布了 CPU 技术规划的重要更新,首次公开确认了 Zen 5 系列之后将推出 Zen 6 系列架构,且该系列将采用大小核设计,分为 Zen 6 和 Zen 6c。但当时,AMD 并未透露 Zen 6 系列架构的发布时间,也未明确其将采用的制程节点。然而,不久后有消息透露,Zen 6 架构的电荷耦合元件(CCD)预计会采用台积电的 N3E 制程技术制造,而新款 IO 芯片(IOD)则会运用 N4C 制程技术。

 

近期,根据 TECHPOWERUP 的新报道,AMD 在芯片制造规划上又有新动向 —— 正在测试导入三星的 4 纳米制程技术,用于制造新款 IOD 芯片。据推测,AMD 可能选用的是三星的 4LPP 制程技术(SF4)。从技术参数来看,三星 4LPP 制程的晶体管密度与台积电的 N5 制程相近,并且相较于 N6 制程有显著提升,这为 AMD 的芯片设计与性能优化提供了新的可能。

 

上海电子展了解到,TECHPOWERUP 的报道指出,采用更先进的制程技术,AMD 能够降低 I/O 芯片的功耗,进而为新的电源管理解决方案提供支持。更为关键的是,新款 IOD 芯片的核心需求在于升级内存控制器,以支持速率更高的 DDR5 内存,以及适配一些新的 DIMM 设计,如 CUDIMM 内存模组等,这对于提升 AMD 芯片在内存性能方面的表现具有重要意义。

 

过去,三星晶圆代工制程的良率一直是业界关注的焦点,也是客户在选择合作时的一大顾虑。但据市场消息显示,尽管三星的 4 纳米制程良率目前仍稍逊于台积电,不过经过一系列优化改进后,良率已接近 70%,与初仅 25% 的良率相比有了大幅提升。这一显著进步表明三星在提升制程良率方面取得了实质性成果,或许正是这一点促使 AMD 开始考虑引入三星的晶圆代工制程。

 

上海电子展了解到,AMD 计划导入三星 4 纳米制程技术这一消息尚未得到 AMD 官方证实。半导体行业的发展瞬息万变,后续 AMD 是否会正式采用三星的 4 纳米制程技术,以及这一举措将对 AMD 的芯片产品线、市场份额乃至整个半导体产业格局产生何种影响,都值得持续关注与深入观察。

 

 

 

文章来源:全球半导体观察