随着新能源、5G通信等战略性新兴产业的蓬勃发展，大尺寸碳化硅衬底材料加工技术正成为推动半导体产业升级的关键突破口。中电科电子装备集团近日宣布，其自主研发的8至12英寸碳化硅材料加工智能解决方案取得重大技术突破，为行业提供了全新的技术路径和产业升级方案。

半导体封测展了解到，该创新解决方案整合了晶锭减薄、激光剥离、晶片减薄和化学机械抛光四大核心设备，实现了从原材料到成品的全流程工艺升级。据电科装备负责人介绍，新技术通过优化加工参数和工艺流程，可将单片加工时间从传统工艺的90分钟大幅缩短至25分钟，同时将材料损耗由220微米降低到80微米，降幅超过60%，显著提升了生产效率和材料利用率。经测算，每个晶锭可切割晶片的数量提升至现有工艺的1.4倍，为降低生产成本提供了有力支撑。

在智能化生产方面，该方案通过自动化设备和智能机器人搬运系统，实现了多工序的无缝衔接和协同作业。半导体封测展了解到，配套的全流程数据采集与分析系统不仅确保了产品质量的高度一致性，更为工艺持续优化提供了数据支撑和决策依据。特别值得一提的是，其创新的激光剥离工艺采用先进的激光诱导裂纹技术，较传统多线切割技术可减少60%的材料损耗，为行业突破成本瓶颈开辟了新途径。

目前，该解决方案已进入多家行业领军企业的产线验证阶段，并获得积极的市场反馈。电科装备表示，将持续加大研发投入，优化技术方案，以创新驱动发展，推动我国化合物半导体产业实现高质量跨越式发展。这一突破性进展将有力支撑新能源汽车、智能电网、光伏风电等战略新兴产业的快速发展需求，助力我国在全球半导体产业竞争中占据更有利位置。

文章来源：科技日报