复旦大学微电子学院周鹏、刘春森科研团队近日实现重大技术突破，成功研发全球首款皮秒级非易失性存储器"破晓"。这款革命性存储器件刷新了人类对信息存取速度的认知，其400皮秒的极速擦写性能，相当于每秒可完成25亿次数据操作。4月16日，这项开创性成果荣登《自然》杂志。

半导体封测展了解到，在现代信息技术体系中，电荷存储器扮演着核心角色。它通过精确控制电荷运动，实现数据的高速处理和可靠存储。目前主流存储技术主要分为两类：一类是以SRAM和DRAM为代表的易失性存储器，虽然速度可达纳秒级，但断电后数据立即丢失；另一类是以闪存为代表的非易失性存储器，虽然能保持数据，但速度难以满足AI等高性能计算需求。

"我们面临的挑战是要同时实现'鱼与熊掌兼得'。"周鹏教授表示。研究团队经过十年潜心钻研，终于突破传统思维束缚，创新性地提出了"超注入"存储机制。与常规闪存5伏极佳工作电压不同，新技术实现了"电压越高，速度越快"的突破性性能曲线。

刘春森研究员解释道："传统存储技术就像是在限速公路上开车，而我们开辟了一条没有速度限制的新赛道。"这项技术突破不仅将非易失存储速度推至理论极限，更超越了当前领先的易失性存储技术。

半导体封测展了解到，"破晓"的命名寓意深远，既取自"皮秒"的谐音，更象征着中国半导体产业即将迎来的技术黎明。目前，该技术已进入小规模量产试验阶段，有望重塑全球存储产业格局，为人工智能、高性能计算等前沿领域提供强有力的技术支撑。

文章来源：科技日报