Ｍｉｎｉ－ＬＥＤ背光技术虽然已经开始应用于实际产品中，但仍然存在很多技术挑战。本文将从技术层面出发，阐述Ｍｉｎｉ－ＬＥＤ 背光在芯片方面所面临的技术问题与挑战。

芯片的良率问题。Ｍｉｎｉ－ＬＥＤ 背光所用芯片因为受到线宽精度和遮光的影响，芯片自身的亮度降低，从而影响到Ｍｉｎｉ－ＬＥＤ背光所用芯片晶圆的良率。目前 Ｍｉｎｉ－ＬＥＤ 背光所用芯片晶圆的裁切良率一般为７５％左右。其次是波长一致性的问题，Ｍｉｎｉ－ＬＥＤ 所用芯片通常采用化学气相沉积的方式生产，化学气相沉积法存在膜厚均一性的问题，这个问题反馈到芯片性能上就是发光波长一致性的问题。ＬＥＤ产业一般采用多次分选技术解决这一问题，通常一个规 格（Ｂｉｎ）的精度为２．５ｎｍ，而 Ｍｉｎｉ－ＬＥＤ背光技术所用的芯片，由于数量巨大，且涉及到亮度和色度一致性的问题，需要规格的精度达到１～１．５ｎｍ才能满足应用的要求。这就同时对晶圆的品质（优化晶圆生长过程，提高芯片的波长一致性）和后续的分选精度提出了更高的要求。此外，随着芯片尺寸的大幅减小，在小电流驱动下，芯片自身外量子效率也会随之下降。Ｍｉｎｉ－ＬＥＤ背光芯 片 在小电流下工作时光电转换效率会大幅下降，相比绿光和红光芯片而言，蓝光芯片的光电转换效率下降幅度较小，能够满足实际产品的应用要求，这也是为什么目前基于Ｍｉｎｉ－ＬＥＤ背光的产 品基本都采用蓝光ＬＥＤ芯片配合光转换材料实现白光发射的原因，其中光转换材料的选择又以量子点材料为合适，量子点材料的引入可以提升Ｍｉｎｉ－ＬＥＤ背光产品的色域。

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