在检测集成电路失效情况时，主要按照四步完成失效分析，包括无损失效分析、开封镜检、开电性分析以及物理分析通过对四种方法的精准使用，能够及时找出集成电路失效点，精准分析与定位各项问题。
1.无损失效分析

无损失效分析，顾名思义就是在判定样品失效大概情况时，不可破坏样品。当前主要分为三种形式，分别为：外观分析、X射线分析以及扫描显微镜检测。外观分析就是利用人眼直接观察样品，判断电路的外观是否出现损伤等情况。 X射线分析就是利用X射线的透视功能，检测集成电路的引线失效情况。扫描声学显微镜检测则是发挥超声波的功能，完成检测，此分析法可以精准出器件内部可能发生的问题，一般常用于集成电路受到水气或者高温影响造成的问题。

2. 开封镜检

开封镜检法更适用于集成电路已经失效的情况，集成电路之间存在一定差异，所以要结合其具体特点采取此项处理方法，如：全剥离法、局部除法以及全自动化。全剥离法就是去除集成电路其他外路，保留其芯片即可，而后观测其内部电情况。此种方式会损坏内部电路的各个引线，无法进行后续的通电测试。局部去除法则是利用研磨机 研磨芯片上的树脂。此种方式不会造成芯片内电路引线的损坏，在开封后仍然能够开展通电测试。全自动法则是利用硫酸喷射，开封处理固定区域。

3. 开电性分析

在集成电路失效的情况下，可以进行开电性分析。一般情况下，电芯分析技术主要分为缺陷定位电路分析法以及微探针检测技术。缺陷定位则是针对具体出现缺陷位置，针对性的制定解决策略，采用具体检测技术包括OBIRCH技术、Emission显微镜 技术，而液晶热点检测技术也适用于其中。电路分析法就是对集成电路的图纸及芯片图纸进行有效析，先大致检测，而后缩小范围，结合微探针检测技术完成定位。微探针检测技术的使用大多结合电路分析法而展开，能够有效检测出内部器件的各项参考数值。

4. 物理分析

物理分析法包括四种：（1）聚焦离子束； （2）扫描电子显微镜；（3）透射电子显微镜；（4）VC定位术。聚焦离子束主要是将集成电路切割出侧面，以此来细致观察电路情况。与传统研磨法相比，此技术更加精准，能够提高失效检测的准确率。扫描电子显微镜能够呈现出集成电路的图像，并对其进行深入研究。透射电子显微镜与扫描电子显微镜对比，其分辨率更高，能够清晰地反馈出集成电路出现的问题，并对问题展开探讨，而在排查各项缺陷时也能够更加精准。VC定位技术源于SEM以及FIB技术，是这两项技术升级之后所形成，能够精准定位集成电路所形成的问题，也能够确定缺陷位置。定位技术主要是利用电子束与离子束的功能，及时掌握电路板表面电势的差异，而后通过电子屏幕显现出差异亮度，根据亮度的不同形成对比，寻找存在异常亮度的地方，然后再确定失效点。

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