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随着电子工业逐步向更小更精密发展,电子产品抗静电能力更是下降,以静电的高电压轻而易举就能击穿电子元件造成伤害,静电放电对产品造成损坏的可能不断提高。
实际过程中静电的来源有很多,放电的形式也有多种。通过对静电的主要来源以及实际发生的静电放电过程的研究认为,对元器件造成损伤的主要是三种模式:即带电人体的静电放电模式、带电机器的放电模式和充电器件的放电模式。
1、带电人体的放电模式(HBM)
由于人体会与各种物体间发生接触和磨擦,又与元器件接触,所以人体易带静电,也容易对元器件造成静电损伤。人体与被放电体之间的放电有两种。即接触放电和电弧放电。接触放电时人体与被放电之间的电阻值是个恒定值。电弧放电是在人体与被放电体之间有一定距离时,它们之间空间的电场强度大于其介质(如空气)的介电强度,介质电离产生电弧放电,暗场中可见弧光。电弧放电的特点是在放电的初始阶段,因为空气是不良导体,放电通道的阻抗较高,放电电流较小;随着放电的进行,通道温度升高,引起局部电离,
通道阻抗逐渐降低,电流增大,直至达到一个峰值;然后,随着人体静电能量的释放,电流逐渐减少,直至电弧消失。
2、带电机器的放电模式(MM)
机器因为摩擦或感应也会带电。带电机器通过电子元器件放电也会造成损伤。机器放电的模式与人体模式相比,机器没有电阻,电容则相对要大,同等电压对机器的损害,机器模型远大于人体模型。
3.充电器件的放电模型(CDM)
半导体器件主要采用三种封装型式(金属、陶瓷、塑料)。它们在装配、传递、试验、测试、运输及存贮过程中,由于管壳与其它JUE缘材料(如包装用的塑料袋、传递用的塑料容器等)相互磨擦,就会使管壳带电。器件本身作为电容器的一个存贮电荷。这种形式的放电可用所谓充电器件模型(Charged-Device Model,CDM)来描述。此种模式的放电时间更短,放电上升时间小于1纳秒,尖峰电流15安培,持续时间小于10纳秒。
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文章来源:程泉洁净