电子展|未来电力电子领域的璀璨之星——碳化硅功率器件

随着电力电子技术的飞速发展，传统的硅基功率器件因其物理特性的限制，已经逐渐难以满足日益增长的高性能、高效率、高可靠性的应用需求。在这一背景下，碳化硅（SiC）功率器件凭借其独特的材料特性和卓越的性能优势，成为了电力电子领域的一颗璀璨新星。今天电子展小编就来深入探讨碳化硅功率器件的物性特征、技术优势、应用前景以及面临的挑战。

电子展浅谈碳化硅材料的物性与特征

碳化硅（SiC）是一种由硅（Si）和碳（C）元素组成的化合物半导体材料。与硅材料相比，SiC具有更高的禁带宽度、临界击穿电场强度以及热导率，这使得SiC功率器件在高压、高温、高频等恶劣环境下具有更优异的性能。具体来说，SiC材料的禁带宽度是硅的3倍，这有助于提高器件的耐高温性能；SiC的临界击穿电场强度是硅的10倍，使得SiC器件能够在更高的电压下工作；SiC的热导率是硅的3倍，有助于降低器件的工作温度，提高可靠性。

电子展浅谈碳化硅功率器件的技术优势

高耐压性能

SiC的绝缘击穿场强是Si的10倍，因此与Si器件相比，SiC能够以更高的杂质浓度和更薄的厚度的漂移层制作出600V～数千V的高耐压功率器件。这种高耐压性能使得SiC功率器件在高压输变电、新能源汽车、智能电网等领域具有广泛的应用前景。

低导通电阻

对于高耐压功率器件来说，阻抗主要由漂移层的阻抗组成。由于SiC的临界击穿电场强度远高于硅，因此采用SiC材料可以得到单位面积导通电阻非常低的高耐压器件。理论上，相同耐压的器件，SiC的单位面积的漂移层阻抗可以降低到Si的1/300，从而显著降低器件的功率损耗。

高频性能

传统的Si材料为了改善伴随高耐压化而引起的导通电阻增大的问题，主要采用如IGBT（绝缘栅极双极型晶体管）等少数载流子器件（双极型器件）。然而，这种器件存在开关损耗大的问题，限制了其在高频领域的应用。SiC材料却能够以高频器件结构的多数载流子器件（肖特基势垒二极管和MOSFET）去实现高耐压，从而同时实现“高耐压”、“低导通电阻”、“高频”这三个特性。这使得SiC功率器件在高频通信、雷达、电子对抗等领域具有显著的优势。

高温稳定性

SiC的带隙较宽，是Si的3倍，因此SiC功率器件即使在高温下也可以稳定工作。这使得SiC功率器件在航空航天、石油钻探、核能发电等高温环境下具有广阔的应用前景。

电子展浅谈碳化硅功率器件的应用前景

随着新能源汽车、智能电网、5G通信等领域的快速发展，对电力电子器件的性能要求越来越高。碳化硅功率器件凭借其卓越的性能优势，将在这些领域发挥重要作用。具体来说，SiC功率器件可用于新能源汽车的充电桩、电机控制器、车载逆变器等关键部件中，提高车辆的性能和可靠性；在智能电网中，SiC功率器件可用于高压直流输电、柔性直流输电等领域，提高电网的输电能力和稳定性；在5G通信中，SiC功率器件可用于基站、微波器件等关键部件中，提高通信系统的性能和可靠性。

电子展浅谈碳化硅功率器件面临的挑战

尽管碳化硅功率器件具有诸多优势，但其发展仍面临一些挑战。SiC材料的制造成本相对较高，这限制了其在大规模应用中的推广；其次，SiC功率器件的设计和制造技术相对复杂，需要高度的专业知识和技术支持；SiC功率器件在高温、高湿等恶劣环境下的长期稳定性仍需进一步研究和验证。

结论

碳化硅功率器件以其独特的材料特性和卓越的性能优势，成为了电力电子领域的一颗璀璨新星。随着技术的不断进步和成本的逐渐降低，SiC功率器件将在新能源汽车、智能电网、5G通信等领域发挥越来越重要的作用。电子展小编觉得，未来，碳化硅功率器件将成为推动电力电子技术发展的重要力量。

文章来源：国晶微第三代半导体碳化硅