上海电子展|山西半导体企业重大突破：12 英寸 SiC 衬底开启产业新篇

在全球半导体行业持续奋进、寻求突破的征程中，中国山西传来一则振奋人心的喜讯。中电科半导体材料有限公司旗下的山西烁科晶体有限公司，凭借深厚的技术积淀与不懈的科研攻坚，成功达成一项具有里程碑意义的成就 —— 全球首创研制出 12 英寸（300mm）高纯半绝缘碳化硅单晶衬底，与此同时，12 英寸（300mm）N 型碳化硅单晶衬底也同步问世。

上海电子展了解到，一直以来，烁科晶体心无旁骛，将全部精力聚焦于碳化硅材料这片充满潜力的领域，潜心钻研研发与生产环节，致力于挖掘碳化硅材料更为多元、广阔的应用天地。过往数年，科研团队一路攻坚克难，先后突破大尺寸扩径工艺瓶颈，啃下高纯半绝缘碳化硅衬底关键工艺这块 “硬骨头”，还驯服了低缺陷 N 型衬底的生长工艺难题，一步一个脚印地夯实技术根基。如今，这全球首片 12 英寸高纯半绝缘碳化硅衬底的诞生，宛如一把钥匙，解锁了碳化硅材料在 VR 眼镜、热沉等新兴前沿领域进一步拓展应用的大门，为产业发展注入全新活力。

展望未来，烁科晶体壮志满怀，将持续深耕大尺寸碳化硅单晶衬底的产业化技术研发，坚定不移地加大研发资源投入，以技术创新作为引领行业前行的旗帜，全力塑造自身的核心竞争壁垒。通过自身的蓬勃发展，带动上下游创新链、产业链以及生态链协同革新、重构，推动整个行业朝着更高端、更具竞争力的方向大步迈进。

无独有偶，半导体行业的另一劲旅 —— 天岳先进，同样在近期为行业发展添上浓墨重彩的一笔。2024 年 11 月 12 日，备受瞩目的德国慕尼黑半导体展览会（Semicon Europe 2024）盛大启幕，天岳先进携旗下全系列碳化硅（SiC）衬底产品精彩亮相展会现场，并于次日重磅发布 12 英寸（300mm）N 型碳化硅衬底产品，这一标志性举动，宣告碳化硅产业正式踏入超大尺寸碳化硅衬底的崭新时代。

据专业解读，12 英寸碳化硅衬底材料优势显著，它能够极大地拓展单片晶圆上可供芯片制造的有效面积，如同为芯片制造开辟了一片更为广阔的 “沃土”，使得合格芯片产量得以大幅跃升。在相同生产条件下，不仅产量显著提升，单位成本也随之大幅降低，经济效益得到质的飞跃，为碳化硅材料迈向更大规模的商业化应用筑牢根基。天岳先进董事长宗艳民曾深刻指出，对于所有 SiC 器件制造商而言，当前生产成本方面面临的主要压力源，在于从棒料（boules）切片形成衬底这一环节缓慢的增长率。因而，天岳先进寄希望于通过持续扩大衬底尺寸，锲而不舍地降低每单位面积的材料成本，提升产品竞争力。

值得一提的是，针对高压大功率电力电子器件用 P 型碳化硅单晶衬底存在的成本高昂、电阻率偏高、缺陷控制难度极大等一系列技术挑战，天岳先进高瞻远瞩，提前布局液相法技术研发路线。早在 2023 年，就成功推出 8 英寸碳化硅晶体，继而在 2024 年又顺势推出采用液相法制备的 4 度偏角 P 型碳化硅衬底，以技术迭代持续赋能产业升级。

文章来源：半导体封测