2026年存储行业厂建项目新进展
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长鑫存储上海基地为新建12英寸DRAM超级工厂
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通富市北封装测试基地三号厂房启用
03
芯创电子科技技改扩能起“芯”势，满产满销赶订单，2026年产能翻倍，冲刺2亿元产值目标
04
12个半导体项目同日签约落户红莲湖
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美光印度首个封测工厂正式投运，总投资27.5亿美元
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SK海力士又加码千亿，扩产！
长鑫存储上海基地为新建12英寸DRAM超级工厂
建设地点
上海市浦东新区唐镇
建设内容和规模
长鑫存储上海基地为新建12英寸DRAM超级工厂，是大规模扩产工程，2026年3月上旬进入实质性推进阶段。项目规划月产能40–60万片 12 英寸晶圆，为合肥总部现有产能的2–3倍，主攻高端DDR5、LPDDR5X及HBM3产品，其中HBM3专属月产能5万片，适配AI算力、服务器与车规级市场需求。项目新建超大规模洁净厂房、配套动力与厂务设施，同步推进先进工艺研发与设备国产化，计划2026年下半年启动设备安装调试，2027年正式投产，2028年满产。建成后将显著提升长鑫存储全球 DRAM 产能份额，助力长三角形成高端存储芯片产业集群。
建设周期
项目建设周期约3年，2026年3月上旬启动推进，2026 年下半年设备搬入，2027年投产，2028年满产。
总投资
项目总投资超345 亿元，IPO拟募资295亿元用于上海基地建设、产能扩充与技术研发。
竣工时间
计划2028年全面竣工并实现满产。
通富市北封装测试基地三号厂房启用
建设地点
江苏省南通市崇川区市北高新区
建设内容和规模
本项目为通富市北先进封装测试生产基地核心子项目，2026 年 3 月 3 日举行三号厂房启用暨首台设备进驻仪式，标志项目进入投产冲刺阶段。项目于 2025 年下半年启动 3 号厂房装修改造，盘活 3.5 万平方米闲置厂房，新增约 1.6 万平方米高标准净化厂房，用于建设通科测试中心。项目新增投资约 9 亿元，引入 100 余台测试机、150 多台老化测试机及后段配套制程设备，同步扩充存储器、HPC 与功率测试产线，累计新增各类测试设备 500 余台套。项目仅用两个多月完成装修改造，计划 2026 年 2 月底正式投产，达产后年新增芯片测试产能 3.5 亿块，年产值超 10 亿元，是通富通科增资扩产、提升高端存储封测能力的关键工程。
总投资
三号厂房测试中心项目新增投资约 9 亿元，所属通富市北先进封装测试生产基地总投资 120 亿元。
建设周期
项目建设周期约半年，2025 年下半年启动装修改造，2026 年 2 月底竣工投产。
竣工时间
计划 2026 年 2 月底竣工并正式投入使用。
芯创电子科技技改扩能起“芯”势，满产满销赶订单，2026年产能翻倍，冲刺2亿元产值目标
建设地点
湖北省天门市高新园
建设内容和规模
本项目为芯创（天门）电子科技有限公司2026年重点技改扩产项目，于3月12日对外公布，属存储及通用芯片封测产能扩建工程。项目总投资3000万元，在现有厂区内新增全国产化存储芯片封测产线，对现有净化车间、测试区进行升级改造，新增封装、测试、老化等关键设备，同步优化生产流程。项目建成后，公司月封测能力将从8亿颗大幅提升至20亿颗，新增产能以存储芯片、电源管理芯片、信号驱动芯片为主，重点服务消费电子、数据中心等领域。项目为快速投产型技改，不涉及新建厂房，全部在现有厂区内实施，预计2026年内完成设备安装调试并全面达产，达产后年产值有望突破2亿元。
建设周期
项目建设周期为2026年全年，自3月启动，预计2026年底前完成全部设备安装调试并达产。
总投资
项目总投资3000万元，全部用于新增产线设备采购及车间升级改造。
竣工时间
预计2026年12月底前完成全部建设并正式达产。
12个半导体项目同日签约落户红莲湖
建设地点
湖北鄂州红莲湖旅游度假区
建设内容和规模
武汉光谷（红莲湖）12个半导体集中签约项目，属于围绕长江存储构建的存储产业集群配套项目，项目涵盖武汉曜显激光准分子激光、苏州国微纳半导体外延设备制造、北京康冠世纪薄膜铌酸锂光子芯片生产基地、重庆软江图灵 AI 研发及制造等，覆盖半导体器件、设备制造、AI 算法及芯片协同设计等全产业链关键环节。项目依托红莲湖 2000 亩半导体产业园、6000 亩光谷东数字经济产业园载体，与已开工的26.1亿元泛半导体智能制造基地协同，构建“5分钟协作圈”，打造围绕长江存储的存储设计— 制造—封测—材料全产业链集群，助力武鄂同城半导体产业生态成型。
总投资
总投资214亿元。
美光印度首个封测工厂正式投运，总投资27.5亿美元
建设地点
印度古吉拉特邦艾哈迈达巴德萨南德市，GIDC萨南德二期园区
建设内容和规模
项目为美光在印度建设的高端存储芯片封装测试基地，项目分两期规划实施。厂区总占地面积 93 英亩，一期建设超 50 万平方英尺高标准洁净厂房，是目前全球规模领先的单层封测洁净车间。项目聚焦 DRAM、NAND Flash 等存储芯片的封装、测试、老化及模组制造，配备完整的芯片封装测试生产线与自动化生产设备，构建从晶圆后段加工到成品存储产品的全流程制造能力。项目建成后主要面向消费电子、服务器、AI 算力等领域提供存储封测服务，形成规模化、专业化的存储芯片封测产能，进一步完善美光全球存储产业链布局，打造印度本土重要的半导体存储制造中心。
建设周期
一期2023年9月开工，2026年2月投产。
总投资
总投资27.5亿美元。
竣工时间
一期 2026年2月正式竣工投产。
SK海力士又加码千亿，扩产！
建设地点
韩国京畿道龙仁市龙仁半导体产业集群核心区
建设内容和规模
本项目为SK海力士龙仁Fab1晶圆厂的大规模扩建与提速工程，在原有一期基建基础上，追加建设二期至六期共5座洁净室，最终形成2栋主体建筑、6座洁净室的超大规模先进存储晶圆制造基地。项目聚焦下一代DRAM与 HBM（高带宽内存）生产，采用 EUV 光刻等尖端制程，打造全球领先的AI存储芯片专属产线。当前首座洁净室建设已进入收尾阶段，计划提前至2027年2月投产，其余 5 座洁净室将在2028—2030年间分批建成并逐步投产。项目建成后月产能规划超 30万片，全面支撑HBM4及更高代次产品的规模化量产，满足 AI 算力爆发式增长需求。
建设周期
2026年3月—2030年12月。
总投资
总投资31万亿韩元（约合215亿美元）。
竣工时间
首座洁净室2027年2月竣工投产，全部6座洁净室及配套设施预计2030年12月全面竣工。
Fac Tec China 电子工厂设施展
参展一站解决三大痛点！
Fac Tec China 电子工厂设施展将于2026年6月2日至4日在上海世博展览馆隆重举行，与展会NEPCON China 2026 中国国际电子生产设备暨微电子工业展与S-FACTORY EXPO智能工厂及自动化技术展同期同地举办。
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部分拟邀企业莅临名单