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随着电子工业逐步向更小更精密发展，电子产品抗静电能力更是下降，以静电的高电压轻而易举就能击穿电子元件造成伤害，静电放电对产品造成损坏的可能不断提高。

实际过程中静电的来源有很多，放电的形式也有多种。通过对静电的主要来源以及实际发生的静电放电过程的研究认为，对元器件造成损伤的主要是三种模式：即带电人体的静电放电模式、带电机器的放电模式和充电器件的放电模式。

1、带电人体的放电模式(HBM)

由于人体会与各种物体间发生接触和磨擦，又与元器件接触，所以人体易带静电，也容易对元器件造成静电损伤。人体与被放电体之间的放电有两种。即接触放电和电弧放电。接触放电时人体与被放电之间的电阻值是个恒定值。电弧放电是在人体与被放电体之间有一定距离时，它们之间空间的电场强度大于其介质(如空气)的介电强度，介质电离产生电弧放电，暗场中可见弧光。电弧放电的特点是在放电的初始阶段，因为空气是不良导体，放电通道的阻抗较高，放电电流较小;随着放电的进行，通道温度升高，引起局部电离，

通道阻抗逐渐降低，电流增大，直至达到一个峰值;然后，随着人体静电能量的释放，电流逐渐减少，直至电弧消失。

2、带电机器的放电模式（MM)

机器因为摩擦或感应也会带电。带电机器通过电子元器件放电也会造成损伤。机器放电的模式与人体模式相比，机器没有电阻，电容则相对要大，同等电压对机器的损害，机器模型远大于人体模型。

3.充电器件的放电模型(CDM)    

半导体器件主要采用三种封装型式(金属、陶瓷、塑料)。它们在装配、传递、试验、测试、运输及存贮过程中，由于管壳与其它JUE缘材料(如包装用的塑料袋、传递用的塑料容器等)相互磨擦，就会使管壳带电。器件本身作为电容器的一个存贮电荷。这种形式的放电可用所谓充电器件模型(Charged-Device Model，CDM)来描述。此种模式的放电时间更短,放电上升时间小于1纳秒，尖峰电流15安培，持续时间小于10纳秒。

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文章来源：程泉洁净